巴斯夫重磅推出针对新一代绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体的高性能PPA材料

针对新一代的电力电子设备，巴斯夫开发出了一种聚邻苯二甲酰胺（PPA），这种材料尤其适合制造IGBT的半导体外壳。Uitramid®AdvancedN3U41G6能够满足电动汽车、高速列车、智能制造和可再,生能源等领域对于高性能、可靠电子元件日益增长的需求。作为电力电子设备领域的全球技术领导者，SemikronDanfoss目前采用巴斯夫PPA作为其光伏和风能系统逆变器中的Semitrans1oIGBT外壳材料。UItramid®AdvancedN系列具备出色的耐化学性和尺寸稳定性，可以提高IGBT的坚固性、长期性能及可靠性，从而满足日益增长的节能、更高功率密度以及提效需求。IGBT能够实现电力电子设,备中电路的高效切换与控制。

“IGBT是现代电子设备的关键元件，尤其在可再生能源领域。"SemikronDanfoss研发与预研部JornGrossmann表示，“IGBT必须在更高的温度条件下工作，且同时要保持长期稳定性及高性能。得益于巴斯夫PPA材料的独特性能，Semitrans10为性能与效率立下了新标杆。该材料即使在严苛环境中也能表现出卓越的电气绝缘性能；并且在装配过程出现短期温度峰值时，它也具备出色的坚固性。因此我们选择了此款材料。”高性能材料与智能设计相结合，能够提升切换速度、降低传导损耗以及,化热管理，进而满足电力电子设备中的关键需求。

如今广泛应用在IGBT中的是巴斯夫的一款成熟产品UItradur®（PBT：聚对苯二甲酸丁二醇酯）。而在快速发展的电力电子设备中，新推出的PPA可满足新一代IGBT的各种严苛要求。比如，材料能够承受,更高的温度，持续保持电气绝缘性能，以及在潮湿、灰尘和污垢等具有挑战性的环境条件下保持尺寸,稳定性。采用无卤阻燃剂的激光敏感UItramid®AdvancedN3U41G6具备强大的热稳定性、低吸水性,以及出色的电气性能。其特点在于高达600的CT1值（CTI：相对漏电起痕指数，依据IEC60112）：与,自前用于电源升关的材料相比，这种材料漏电更少、绝缘性能更佳，可以更有助于IGBT微型化。UL认证系列产品具有高达150°C的电气RTI值（RTI：相对温度指数）。

巴斯夫电力电子设备高级应用专家JochenSeubert表示：“巴斯夫PPA改性产品面向全球供应且提供样品展示。我们以客户为中心，提供部件开发方面的技术支持，希望这一创新材料能够为电力电子设备的发展作出重大贡献，推动全球可再生能源转型的进程。”在IGBT制造过程中，将金属引脚与夹具注塑成型后，巴斯夫PPA可与半导体封装材料兼容。