Chinaplas 2023：Ultramid® Advanced N 为绝缘栅双极晶体管（IGBT）半导体量身定制，实现出色的电力电子性能

●巴斯夫研发的 PPA 材料兼具优异的热稳定性、低吸水性、卓越的绝缘性和高 CTI

●可实现电气元件高效和可靠的电源管理，是用于电动汽车、可再生能源生产和智能制造领域的理想材料

●巴斯夫将参加 2023 年中国国际塑料橡胶工业展览会（CHINAPLAS）：中国深圳国际会展中心 17 号展厅，17F71 号展位

为电力电子设备提供智能技术和轻量化的塑料部件，巴斯夫现在推出一种聚苯二甲酰胺（PPA），尤其适合制造绝缘栅双极晶体管（IGBT）的外壳。可激光打标的Ultramid® Advanced N3U41 G6 LS 是一种无卤阻燃化合物，同时具备优异的热稳定性、低吸水性以及出色的电气性能。它的特点是，相对漏电起痕指数（CTI）超过 600V，与迄今为止用于IGBT的材料相比，Ultramid® Advanced N3U41 G6 LS 的爬电距离更低，绝缘性能更好，从而有助于IGBT实现轻量化和小型化。

由于其优异的耐化学性和尺寸稳定性，Ultramid® Advanced N 产品可提升电动汽车、高速铁路、太阳能和风能以及智能制造领域IGBT的强度、长期性能和可靠性，满足了客户对日益增长的节能、减重和轻便化的需求。

绝缘栅双极晶体管在大功率电路中起到快速高效开关的作用。IGBT 可以组装成模块，实现更高电压、更大电流以及结构更紧凑的电气应用。在严苛条件下，材料必须具有优异的电绝缘性、阻燃性、尺寸稳定性以及长期耐热防潮性：Ultramid® Advanced N 经过优化，可以耐受更高的温度和更大的电流，同时保持其机械强度，因此足以应对这些挑战。它可保护半导体免受机械以及环境影响，如水气、灰尘和污垢等。

经UL 认证，Ultramid® Advanced N具备优异的电气 RTI（相对热指数）值，高达150°C。此外，它不含卤素等腐蚀性成分，因此可避免接触腐蚀风险。在IGBT的生产工艺方面，巴斯夫PPA可与金属组件一起注射成型，并与半导体封装材料具备良好的相容性。